近日，中国发明协会关于2021年度发明创业奖创新奖的结果公示结束，我校邱永福教授、罗群高级实验师、常学义博士、梁志辉高级实验师、范洪波教授、何春勇博士（散裂中子源科学中心）等合作完成的项目“高性能中子屏蔽材料研制的关键技术及应用”拟获中国发明协会2021年度发明创业奖创新奖二等奖。

随着中子核技术的快速应用，其辐射屏蔽问题也受到人们的广泛关注。邱永福教授带领研究团队联合散裂中子源科学中心，针对满足弹性（非弹性）散射背底敏感型器件对中子屏蔽的需求及辐射防护服等对柔性低氢中子屏蔽材料的需要，利用少量的聚乙烯-聚醋酸乙烯共聚物（EVA）作基体和B4C为功能填料，采用特殊工艺及特别助剂制备出一类新型的柔性低氢中子辐射屏蔽复合材料（EVA/B4C），其中B4C的质量含量达到80%。该复合材料中EVA形成了多重网络结构，将碳化硼微粉牢牢固定住，能体现出良好的柔韧性和抗张强度。研究结果为开发新型柔性低氢中子屏蔽材料提供有益的借鉴。另外，为了开发力学强度高、制备工艺简单、制造成本较低的中子屏蔽材料，本项目的研究团队利用低温空气烧结技术，制备出一类新型的高强度高硼含量无氢中子辐射屏蔽复合材料，研究结果也为开发其它新型高强度高硼含量无氢中子屏蔽材料提供了有益的借鉴。

据悉，发明创业奖于2005年由国家科技部批准中国发明协会设立，设创新奖、成果奖和人物奖三大奖种，旨在调动群众发明创业的积极性，增强全社会的创造活力，促进发明成果的转化实施，为大力推动自主科技创新奠定雄厚的社会基础，为建设创新型国家作出贡献。

（撰稿：邱永福；一审：詹春燕；二审：刘晓蔚；三审：范洪波）